1999年 4月 6日

新商品

ソニーの最新オーディオ技術とノウハウを結集
スーパーオーディオCDの原音再現能力を最大限に引き出す
ステレオプリアンプ、ステレオパワーアンプ、スピーカーシステム発売


スーパーオーディオCDプレーヤー『SCD-1』（左上）ステレオプリアンプ『TA-E1』（左中）
ステレオパワーアンプ『TA-N1』（左下）　　スピーカーシステム『SS-1ED』（右）

　ソニーマーケティング株式会社（社長：小寺淳一、本社：東京都港区）は、スーパーオーディオCDプレーヤーと組み合わせるコンポーネント群として、ステレオプリアンプ『ＴＡ-Ｅ１』、ステレオパワーアンプ『ＴＡ-Ｎ１』、スピーカーシステム『ＳＳ-１ＥＤ』の販売を、5月より開始します。いずれも、スーパーオーディオCDの優れた原音再現能力を最大限に引き出すため、当社が高級オーディオ機器の開発で培ってきたノウハウを結集した高音質設計となっています。併せて、既存のスピーカーシステムに取り付けることにより、100kHzまでの超高域成分の再生を可能とするスーパートゥイーターシステム『ＳＳ-ＴＷ１００ＥＤ』の販売を開始します。

型 名	発売日	価格（税別）	当初月産
ステレオプリアンプ『ＴＡ-Ｅ１』	5月21日	60万円	100台
ステレオパワーアンプ『ＴＡ-Ｎ１』		90万円
スピーカーシステム『ＳＳ-１ＥＤ』		100万円／1台
スーパートゥイーターシステム 『ＳＳ-ＴＷ１００ＥＤ』		10万円／1台	200台

　『ＴＡ-Ｅ１』は、スーパーオーディオCDの高域再現能力を最大限に引き出す各種高音質デバイスを搭載するだけでなく、必要最小限の機能とシンプルな回路構成を採用しています。増幅段には周波数特性と位相特性に優れたリニアフェーズサーキットを採用した他、アンプ部の回路基板には、熱バランスに優れ、外部振動に強いメタルコアモジュール、電源部には低ノイズ・低振動のアモルファストロイダル電源トランスを採用しています。
　『ＴＡ-Ｎ１』は、「TA-E1」にも使用されているリニアフェーズサーキットをプリドライブ段に採用した他、ファイナル段の出力素子には中高域をしなやかに、低域を力強く再現するパワーMOS-FET^＊を採用しています。また、電源部には変換効率が高く磁束漏洩が少ない新開発トーラストロイダル電源トランスを搭載しています。
　『ＳＳ-１ＥＤ』は、解像度とディテールの再現性に優れている他、幅広いダイナミックレンジと周波数帯域を備えた4ウェイ5ユニットのスピーカーシステムです。新開発の100kHzスーパートゥイーターユニットは、可聴帯域を超えた超高域成分までも忠実に再生可能です。

＊Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

●主な特長

ＴＡ-Ｅ１

1.　周波数特性・位相特性に優れたリニアフェーズサーキット搭載

リニアフェーズサーキットは、スーパーオーディオCDの広帯域にわたる周波数特性を活かすため、高域での減衰が少なく、位相回転が発生しにくい特性を備えています。このため、位相補正の必要が少なく、入力信号に対する応答性に優れています。

2.　メタルコアモジュール

バランス入力・バランス出力・ラインアンプの各ブロックは、メタルモジュール化し、高音質・高信頼性を実現しています。アルミ合金性のメタルコア（金属基板）は熱伝導性に優れ、回路の熱バランスが極めて良いことに加え、各ブロックをモジュールに分割したことで、外部からの振動を極力抑えることが可能です。

3.　アモルファストロイダル電源トランス

電源トランスには、コア素材として優れた特性を持つアモルファス金属を採用しています。非結晶構造のアモルファス金属は、変換ロス・電気的ノイズ・機械的振動が少なく、聴感上のS/N比と情報量を飛躍的に高めます。また、トランス自体をNF（非焼成）セラミックケースに封入し、徹底した防振対策を行っています。

ＴＡ-Ｎ１

1.　プリドライブ段にリニアフェーズサーキット搭載

プリドライブ段には、周波数特性と位相特性に優れたリニアフェーズサーキットを搭載しています。

2.　金メッキ・パワーMOS-FET採用

出力素子には、中高域をしなやかに再現するパワーMOS-FETを採用。また、片チャンネルにつきMOS-FETを10個使用することで、力強い重低音の再現も可能としています。さらに、MOS-FET のベースプレートとリード線に非磁性の金メッキ処理を施すことで、更なる音質向上を図っています。

3.　トーラストロイダル電源トランス

電源トランスには、変換効率に優れ、磁束漏洩が少ないトーラストロイダル電源トランスを採用。また、トランスのコア（鉄芯）断面を楕円にし、線の巻き張力を上げることにより振動を従来のものに比べ約1/4に抑えています。さらに、トランス自体をNF（非焼成）セラミックケースに封入し、徹底した防振対策を行っています。

ＳＳ-１ＥＤ

1.　100kHzスーパートゥイーターユニット

可聴帯域を超える100kHzまでの音を忠実に再生するスーパートゥイーターユニット搭載。軽量・高剛性のカーボン・グラファイト・コンポジットハードドーム振動板と、インダクタンス（誘導係数）およびムービングマス（可動部質量）を低減する電磁誘導型ユニットにより、100kHzまでの再生が可能です。

2.　高解像度・低歪みのドライブユニット

剛性と内部損失に優れるポリプロピレン素材を採用したミッドレンジユニットとウーファーユニットを搭載した他、ポリマー複合トゥイーターの採用により、高解像度と低歪みを実現しています。

3.　スラントミニマムバッフルとスラントエンクロージャー

各ユニットの音源の位置を合わせることに加え、不要なバッフル効果を抑えるスラントミニマムバッフルと、スピーカー音圧や外部振動によって発生する筐体の内部共振（定在波）を低減するスラントエンクロージャーを採用しています。

4.　高品質ネットワーク

ネットワークによる音楽情報の損失を最低限に抑えるため、リッツ線による大型空芯コイルや、ポリプロピレンフィルムコンデンサーなど各種高音質パーツを採用しています。

ＳＤ-ＴＷ１００ＥＤ

1.　100kHzスーパートゥイーターユニット

既存のスピーカーシステムに取り付けることにより、可聴帯域を超える100kHzまでの超高域成分の再現を可能とします。また、様々な使用状況に対応するため、カットオフ周波数切替え（20/30/40kHz）や、水平方向±20度の範囲内で角度調整が行えます。

●主な仕様

ＴＡ-Ｅ１

ゲイン	18dB（CD INからPRE OUT）
入力インピーダンス	20kΩ（アンバランス）、40kΩ（バランス）
出力インピーダンス	220Ω（アンバランス）、1kΩ（バランス）
周波数特性	5Hz〜300kHz（0〜−1dB）
S/N比	115dB（入力ショート、A-Fil）
全高調波ひずみ率	0.005％（20Hz〜20kHz）
電源	AC100V、50/60Hz
消費電力	12W
外形寸法（幅×高さ×奥行き）	430×108×445mm
質量	約22kg

ＴＡ-Ｎ１

ゲイン	28dB
定格出力	8Ω：200W+200W、4Ω：400W+400W、2Ω：600W+600W
入力インピーダンス	20kΩ（アンバランス）、40kΩ（バランス）
負荷インピーダンス	2〜16Ω
周波数特性	5Hz〜300kHz（0〜−1dB）
S/N比	115dB（入力ショート、A-Fil）
全高調波ひずみ率	0.008％（8Ω負荷、10W時）
電源	AC100V、50/60Hz
消費電力	800W
外形寸法（幅×高さ×奥行き）	480×245×530mm
質量	約70kg

ＳＳ-１ＥＤ

エンクロージャー方式	バスレフ方式
使用ユニット	20cmウーファー×2 13cmミッドレンジ×1 2.5cmトゥイーター×1 2.5cmスーパートゥイーター×1
公称インピーダンス	4Ω
最大入力	400W
出力音圧レベル	86dB/W/m
再生周波数帯域	26Hz〜100kHz（±3dB）
クロスオーバー周波数	200Hz、2kHz、22kHz
外形寸法（幅×高さ×奥行き）	400×1,125×555mm
質量	約58kg

ＳＳ-ＴＷ１００ＥＤ

使用ユニット	2.5cmスーパートゥイーター×1
公称インピーダンス	8Ω
最大入力	100W
出力音圧レベル	86dB/W/m
再生周波数帯域	5kHz〜100kHz（±3dB）
外形寸法（幅×高さ×奥行き）	本体：110×71×110mm ネットワーク部：130×50×90mm
質量	本体：約550g（ネットワーク部除く）

※ お客様からのお問い合わせ先：

ソニー（株）お客様ご相談センター 東京：03-5448-3311 名古屋：052-232-2611 大阪：06-6539-5111